中国在“半导体奥运”持续跃进，美国陷入颓势
2026/03/17
在半导体集成电路的研发领域，中国在持续崛起。在2026年2月于美国举办的国际半导体会议“ISSCC 2026（国际固态电路会议）”上，来自中国的入选论文占总数的近四成（图1）。曾坐拥近五成入选率的美国受英特尔业绩低迷等因素影响，占比跌破两成。以大学和研究机构的研究为主，中美两国之间的实力天平已大幅向中国倾斜。
图1：中国提交的入选论文数量在2023年首次跃居第一，随后与第二名以下的差距越来越大
（数据来源：日经XTECH根据ISSCC 2026东京记者会资料绘制）
ISSCC是半导体集成电路领域的顶级国际会议，被誉为半导体界的奥林匹克。受生成式AI（人工智能）运算能力需求扩大以及各国半导体振兴政策的推动，ISSCC 2026的投稿论文数量达到1025篇，同比增长12%，首次突破1000篇大关。最终入选论文257篇，入选率仅25.1%，创历史新低，竞争较往年更为激烈。入选论文中，8成来自大学和研究机构，2成由企业提交。
投稿论文数量再创新高
ISSCC 2026的程序委员会于2025年11月27日在东京都内介绍了会议举办概要。亚太区副主席、信州大学教授宫地幸祐表示：“投稿论文数量连续三年创下历史新高，这一趋势并非昙花一现，中国的表现依旧亮眼”（图2）。
图2：亚太区副主席宫地幸祐介绍ISSCC 2026的会议举办概况（照片：日经XTECH）
包括香港和澳门在内，中国此次的入选论文为96篇，比上年增加4篇，占全部入选论文的37%。其中，清华大学以18篇的成绩遥遥领先，早已成为ISSCC常客的北京大学、澳门大学、复旦大学也跻身入选论文数量前列。
与之形成对比的是美国持续低迷。美国的入选论文数量为50篇，同比减少5篇，国别占比仅19%。2023年，中国首次在ISSCC入选论文数量上超越美国登顶，此后两国间的差距不断拉大。此前常年有近10篇论文入选的英特尔此次仅4篇入选。宫地幸祐认为：“可能是英特尔的低迷对整体产生影响”。
日本略有回升
日本入选论文数量同比增加4篇，达到12篇，呈现小幅回升态势。
东京科学大学有3篇论文入选，东芝和瑞萨电子各有2篇入选。日本其他企业中，索尼集团子公司索尼半导体解决方案、旭化成子公司旭化成电子也各有1篇论文入选。
从地区分布来看，亚太地区（APAC，原远东地区）的入选论文占比达66%。美洲地区（AM，原北美洲）占比20%，创历史新低。欧洲地区（EWAA，原欧盟）占比14%，略有上升。亚太地区中，台湾的入选论文数量同比减少9篇，降至11篇，欧洲地区中，意大利和荷兰的入选论文数量增加。
英伟达发布光电融合技术
程序委员会还介绍了各技术领域的重点关注论文。在处理器相关领域，美国超威半导体（AMD）面向AI的GPU（图形处理半导体）“MI350”、韩国半导体新创企业Rebellions的AI专用系统级半导体（SoC）备受关注。
表1：发布面向AI等的最尖端半导体集成电路
（数据来源：日经XTECH根据ISSCC 2026东京记者会资料绘制）
MI350是AMD为抗衡美国英伟达而推出的GPU，已于2025年下半年开始出货。该产品将3nm的运算半导体与6nm工艺的输入输出半导体进行三维堆叠，AI推理性能比上一代实现提升。
数字电路领域的重点关注论文之一是瑞萨电子为软件定义汽车（SDV）研发的SoC。采用3nm工艺技术和芯粒集成技术，实现了 400TOPS（每秒400万亿次运算）的AI处理性能。这款SoC被命名为“第五代R-Car”系列，预计2027年实现量产出货。
在图像传感器领域，索尼半导体发布单光子雪崩二极管（SPAD）方式的测距传感器技术。该技术面向增强现实（AR）/虚拟现实（VR）终端，采用锗（Ge）制作SPAD，实际验证了低功耗测距。
三星发布HBM4
在存储器领域，美国闪迪（Sandisk）和铠侠继上年之后，又发布第十代三维NAND闪存。堆叠332层存储单元，采用4比特/单元的多值存储技术，存储容量达2TB的半导体。存储密度达到每平方毫米37.6Gbit，号称行业最高。最早将于2026年开始量产。
三星电子发布的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”也备受瞩目。在面向生成AI需求迅速扩大的HBM方面，三星此前落后于韩国SK海力士，而HBM4成为其发起反超的关键技术产品。这是一款36GB产品，将12颗1c（10纳米级第六代）的动态随机存取存储器（DRAM）半导体与4nm工艺的基底半导体（控制电路）进行三维堆叠。预计2026年量产（图3）。
图3：美国半导体存储巨头美光科技也计划2026年量产HBM4。（照片：日经XTECH）
在电源管理领域，东芝表现亮眼。该公司发布两篇论文，包括配备于纯电动汽车的碳化硅（SiC）功率半导体驱动IC（集成电路）等。
在有线通信领域，英伟达发布将部分电气电路替换为光电路的光电融合技术。将7nm工艺的半导体集成电路与65nm工艺的光电转换电路进行三维堆叠，成功验证了单根光纤每秒256Gbit的数据传输。
日经XTECH副总编 大下淳一
资料来源：https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/mag/ne/18/00001/00606/
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